Bipoláris Tranzisztor Karakterisztika

A bipoláris tranzisztor (ezt a tranzisztortípust nevezik egyszerűen tranzisztornak) egy kisméretű monokristály darabon létrehozott két azonos, és közte egy vékony, ezzel ellentétes vezetési típusú rétegből áll. Minden réteg rezisztív érintkezővel van ellátva. A két lehetséges felépítés: p-n-p illetve n-p-n tranzisztor. Az n-p-n tranzisztort feszültségmentes állapotban az 1. ábra mutatja. 5.2.1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája. Mindkét p-n átmenetnél hasonló kiürített réteg jön létre, mint a dióda esetében. 1. ábra: n-p-n tranzisztor feszültségmentes állapotban A tranzisztor elektródái az emitter (E), bázis (B), és a kollektor (C, magyar szövegben néha: K). Sokszor az emitter-bázis réteg között kialakult diódát "emitterdiódának", a kollektor-bázis réteg közötti diódát "kollektordiódának" nevezik. A tranzisztor működéséhez az szükséges, hogy emitterdiódája nyitó irányban, kollektordiódája záró irányban legyen előfeszítve (2. ábra). 2. ábra: n-p-n tranzisztor előfeszített állapotban A bázisra az emitterhez képest nyitó irányú feszültséget kapcsolnak.

• 7.2.1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája
• Sulinet Tudásbázis
• Bipoláris tranzisztor vizsgálata | doksi.net
• 5.2.1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája

7.2.1. A Tranzisztor Nyitóirányú Karakterisztikája

Bipoláris tranzisztor felépítése B E Bipoláris tranzisztor karakterisztikái Bemeneti karakterisztika Transzfer karakterisztika Bipoláris tranzisztorok típusai Unipoláris tranzisztor • Működésük alapelve, hogy egy térrészen átfolyó áramot úgy szabályozunk, hogy külső elektromos erőtérrel megváltoztatjuk a félvezető vezetőképességét, ill. a rendelkezésre álló keresztmetszetet. Unipoláris tranzisztor • Típusai • JFET • MOSFET • Tulajdonságok • Bemenő áramuk ~ 0A • Kis teljesítményigény • Kis helyigény • A többségi töltéshordozók árama határozza meg a működést.

Sulinet TudáSbáZis

Kimeneti jellemzők: A tranzisztor kimeneti karakterisztikáját a kollektoráram és a kollektor-bázis feszültség közé húzzák, az emitteráram állandó. A kimeneti jellemzők különböző szakaszokra oszlanak: Az aktív régió – Ebben az aktív módban az összes csomópont fordítottan előfeszített, és nem halad át áram az áramkörön. Ezért a tranzisztor OFF módban marad; nyitott kapcsolóként működik. A telítettségi régió – Ebben a telítettségi módban mindkét csomópont előre előfeszített, és az áram áthalad az áramkörön. Ezért a tranzisztor BE módban marad; zárt kapcsolóként működik. Lezárási régió – Ebben a levágási módban az egyik csomópont előrefeszített, a másik pedig fordított előfeszítésben van csatlakoztatva. Ezt a Cut-off módot áramerősítési célokra használják. Bipoláris tranzisztor vizsgálata | doksi.net. CB (közös bázis) Common Base üzemmódban a bázis földelve van. Az EB csomópont a szabványos működés során előre előfeszített módon van csatlakoztatva; a bemeneti karakterisztika a pn diódával analóg. én E kap növekedni |V növekedésével CB |.

Bipoláris Tranzisztor Vizsgálata | Doksi.Net

5. 2. 1. A tranzisztor nyitóirányú karakterisztikája A tranzisztor bemeneti karakterisztikája tulajdonképpen a bázis-emitterdióda nyitóirányú karakterisztikája. A bázis-emitter feszültség kis értéke mellett a bemeneti dióda lezárt állapotú, csak nagyon kis áram folyik. A feszültséget növelve a nyitófeszültség értéke fölé a dióda kinyit és a feszültség növelésével arányosan nő a bázisáram. A karakterisztikából látható, hogy a bázisáram értékét kis mértékben a kollektor-emitter feszültség is meghatározza. Nagyobb kollektor-emitter feszültség esetén a karakterisztika jobbra tolódik el, vagyis ugyanakkora bázisáram nagyobb bázis-emitter feszültségnél jön létre.

5.2.1. A Tranzisztor Nyitóirányú Karakterisztikája

Ha a funkcionális feszültség |V CB | növekszik, a CB csomópontban lévő kimerülési régió mérete megnő, ezáltal csökken a hatékony bázisrégió. Az "effektív alapszélesség változását" a kollektorkapocsra kapcsolt feszültség hatására korai hatásnak nevezzük. CB módban a bázis földelve van A csomóponti elemzésből tudjuk, I E =I B +I C Most α = I aránya C & Én E Tehát α=I C /I E I C = αI E I E =I B + αI E I B =I E (1-α) Az I bemeneti áram diagramja E V bemeneti feszültséggel szemben EB V kimeneti feszültséggel CB paraméterként. Közös bázisú szilícium tranzisztor bemeneti karakterisztikája: Közös bázisú szilícium tranzisztor kimeneti jellemzői: CE (közös kibocsátó) CE módban az emitter földelve van, és a bemeneti feszültséget az emitter és a bázis közé kapcsolják, a kimenetet pedig a kollektor és az emitter között mérik. β = az I közötti arány C & Én B β=I C /I B I C = βI B I E =I B + βI B I E =I B (1+ β) A Common Emitter mód, az emitter közös az áramkör be- és kimenetén. A bemeneti áram I B V feszültségre van ábrázolva BE V kimeneti feszültséggel CE egyelőre.

Így a bemenő karakterisztika ugyanúgy egyetlen görbéből áll, mint a dióda esetében. 4. ábra: Szilícium npn tranzisztor UBE - IE karakterisztikája Tekintettel arra, hogy a kollektoráram és az emitteráram közelítőleg megegyezik, azt lehet mondani, hogy a tranzisztor UBE - IE karakterisztikája gyakorlatilag megegyezik UBE - IC karakterisztikájával. A tranzisztor kimenő karakterisztikája azt mutatja, hogy a kollektor-emitter feszültség (változatlan bázisáram mellett) miként hat a kollektoráramra (5. ábra). 5. ábra: Szilícium npn tranzisztor UCE - IC karakterisztikája Tekintettel arra, hogy a kollektoráram az emitteráram (és ezzel együtt a bázisáram) függvénye, a kimenő karakterisztikaként több görbét adnak meg, melyek különböző bázisáramok esetén mutatják a kollektoráramnak a kollektor-emitter feszültségtől való függését. Ideális esetben a kollektor-emitter feszültség nem befolyásolná a kollektoráramot, vagyis az ideális tranzisztor kimenő karakterisztikái vízszintes egyenesek lennének (a vízszintes tengelyen növekvő feszültség nem idézné elő a függőleges tengelyen az áram növekedését).

Tuesday, 14 May 2024

6 Lapos Szalalkális Süti